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全新 UFS 4.0 储存发表   Samsung:比上代更快更悭电

全新 UFS 4.0 储存发表   Samsung:比上代更快更悭电

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智能手机的效能表现往往取决于处理器、RAM 和储存三方面,为了配合 5G 高速连线和用户串流内容的需要,Samsung 日前发表了速度更高的 UFS 4.0 储存晶片。相比起现时常用的 UFS 3.1,单管道频宽提升两倍,这项升级不但令手机更流畅,同时亦达到悭电的效果。


这款符合 JEDEC 固态技术协会 UFS 4.0 标准认证的 Samsung 全新储存晶片,单管道频宽最高可达 23.2Gbps,是 UFS 3.1 的两倍,配合 Samsung 第七代 V-NAND 记忆体及控制器,连续读取速度最高可达 4,200MB/s,而连续写入速度则最高可达 2,800MB/s。

Samsung 特别提到 UFS 4.0 储存晶片的能源效益,每毫安电流可提供 6.0MB/s 的连续读取速度,是上代产品的 46%,有助减少手机的电源消耗。这款 UFS 4.0 储存晶片将会在今年第三季量产,提供最高 1TB 容量,预计今年底或明年初上市的旗舰手机会开始采用。

资料及图片来源:phandroid

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